Anexo:Materiales semiconductores

Grupo IV

• Elementos del grupo IV.
  • Semiconductores elementales:
    • Diamante (C)
    • Silicio (Si)
    • Germanio (Ge)
  • Semiconductores compuestos:
    • Carburo de potasio (SiP)
    • Germanio-aluminio (GeAl)

Grupos III y V

• Semiconductores con elementos de los grupos III y V
  • Aleaciones dobles con aluminio:
    • Antimoniuro: Antimoniuro de aluminio (AlSb)
    • Arseniuro:Arseniuro de aluminio (AlAs)
    • Nitruro:Nitruro de aluminio (AlN)
    • Fosfuro: Fosfuro de aluminio (AlP)
  • Con boro:
    • Nitruro de boro (BN)
    • Fosfuro de boro (BP)
    • Arseniuro de boro (BAs)
  • Con galio:
    • Antimoniuro de galio (GaSb)
    • Arseniuro de galio (GaAs)
    • Nitruro de galio (GaN)
    • Fosfuro de galio (GaP)
  • Con indio:
    • Antimoniuro de indio (InSb)
    • Arseniuro de indio (InAs)
    • Nitruro de indio (InN)
    • Fosfuro de indio (InP)

• Aleaciones triples con elementos de los grupos III y V
  • Arseniuro de galio-aluminio (AlGaAs, Al_xGa_1-xAs)
  • Arseniuro de galio-indio (InGaAs, In_xGa_1-xAs)
  • Fosfuro de galio-indio (InGaP)
  • Arseniuro de indio-aluminio (AlInAs)
  • Antimoniuro de indio-aluminio (AlInSb)
  • Nitruro de galio-arsénico (GaAsN)
  • Fosfuro de galio-arsénico (GaAsP)
  • Nitruro de galio-aluminio (AlGaN)
  • Fosfuro de galio-aluminio (AlGaP)
  • Nitruro de galio-indio (InGaN)
  • Antimoniuro de indio-arsénico (InAsSb)
  • Antimoniuro de galio-indio (InGaSb)

• Aleaciones cuádruples con elementos de los grupos III y V
  • Fosfuro de aluminio-galio-indio (AlGaInP, o InAlGaP, InGaAlP, AlInGaP)
  • Fosfuro de aluminio-galio-arsénico (AlGaAsP)
  • Fosfuro de indio-galio-arsénico (InGaAsP)
  • Fosfuro de aluminio-indio-arsénico (AlInAsP)
  • Nitruro de aluminio-galio-arsénico (AlGaAsN)
  • Nitruro de indio-galio-arsénico (InGaAsN)
  • Nitruro de indio-aluminio-arsénico (InAlAsN)

• Aleaciones quíntuples con elementos de los grupos III y V
  • Antimoniuro de galio-indio-nitrógeno-arsénico (GaInNAsSb)

Grupos II y VI

• Semiconductores de los grupos II y VI
  • Seleniuro de cadmio (CdSe)
  • Sulfuro de cadmio (CdS)
  • Telururo de cadmio (CdTe)
  • Óxido de zinc (ZnO)
  • Seleniuro de zinc (ZnSe)
  • Sulfuro de zinc (ZnS)
  • Telururo de zinc (ZnTe)

• Aleaciones triples con elementos de los grupos II y VI
  • Telururo de cadmio-zinc (CdZnTe, CZT)
  • Telururo de mercurio-cadmio (HgCdTe)
  • Telururo de mercurio-zinc (HgZnTe)
  • Seleniuro de mercurio-zinc (HgZnSe)

Grupos I y VII

• Semiconductores de los grupos I y VII
  • Cloruro de cobre (CuCl)

Grupos IV y VI

• Semiconductores de los grupos IV y VI
  • Seleniuro de plomo (PbSe)
  • Sulfuro de plomo (PbS)
  • Telururo de plomo (PbTe)
  • Sulfuro de estaño (SnS)
  • Telururo de estaño (SnTe)

• Aleaciones triples con elementos de los grupos IV y VI
  • Telururo de plomo-estaño (PbSnTe)
  • Telururo de talio-plomo (Tl₂SnTe₅)
  • Telururo de talio-germanio (Tl₂GeTe₅)

Grupos V y VI

• Semiconductores de los grupos V y VI
  • Telururo de bismuto (Bi₂Te₃)

Grupo II-V

• Semiconductores de los grupos II y V
  • Fosfuro de cadmio (Cd₃P₂)
  • Arseniuro de cadmio (Cd₃As₂)
  • Antimoniuro de cadmio (Cd₃Sb₂)
  • Fosfuro de zinc (Zn₃P₂)
  • Arseniuro de zinc (Zn₃As₂)
  • Antimoniuro de zinc (Zn₃Sb₂)

Semiconductores por capas

• Yoduro de estaño (II) (SnI₂)
• Disulfuro de molibdeno (MoS₂)
• Seleniuro de galio (GaSe)
• Sulfuro de estaño (SnS)
• Sulfuro de bismuto (Bi₂S₃)

• Seleniuro de cobre-indio-galio (CIGS)
• Siliciuro de platino (PtSi)
• Yoduro de bismuto II (BiI₃)
• Yoduro de mercurio II (HgI₂)
• Bromuro de talio (TlBr)

• Óxidos varios
  • Dióxido de titanio: (anatase) (TiO₂)
  • Óxido de cobre (I) (Cu₂O)
  • Óxido de cobre (II) (CuO)
  • Dióxido de uranio (UO₂)
  • Trióxido de uranio (UO₃)

• Semiconductor orgánico o polímero semiconductor

• Semiconductores magnéticos