Diferencia entre revisiones de «Transistor uniunión»
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El '''transistor uniunión''' |
El '''transistor uniunión''' (en inglés UJT: ''UniJuntion Transistor'') es un tipo de [[tiristor]] que contiene dos zonas [[Semiconductor|semiconductoras]]. |
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Tiene tres terminales denominados emisor (E), base uno (B1) y base dos (B2). Está formado por una barra semiconductora tipo N, entre los terminales B1-B2, en la que se difunde una región tipo P+, el emisor, en algún punto a lo largo de la barra, lo que determina el valor del parámetro '''η''', standoff ratio, conocido como razón de resistencias o factor intrínseco. |
Tiene tres terminales denominados emisor (E), base uno (B1) y base dos (B2). Está formado por una barra semiconductora tipo N, entre los terminales B1-B2, en la que se difunde una región tipo P+, el emisor, en algún punto a lo largo de la barra, lo que determina el valor del parámetro '''η''', standoff ratio, conocido como razón de resistencias o factor intrínseco. |
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Revisión del 20:31 14 ago 2009
El transistor uniunión (en inglés UJT: UniJuntion Transistor) es un tipo de tiristor que contiene dos zonas semiconductoras.
Tiene tres terminales denominados emisor (E), base uno (B1) y base dos (B2). Está formado por una barra semiconductora tipo N, entre los terminales B1-B2, en la que se difunde una región tipo P+, el emisor, en algún punto a lo largo de la barra, lo que determina el valor del parámetro η, standoff ratio, conocido como razón de resistencias o factor intrínseco.
Cuando el voltaje Veb1 sobrepasa un valor vp de ruptura, el ujt presenta un fenómeno de modulación de resistencia que, al aumentar la corriente que pasa por el dispositivo, la resistencia de esta baja y por ello, también baja el voltaje en el dispositivo, esta región se llama región de resistencia negativa, este es un proceso reiterativo, por lo que esta region no es estable, lo que lo hace excelente para conmutar, para circuitos de disparo de tiristores y en osciladores de relajación.