22 nanómetros

Procesos de ; fabricación de ; semiconductores
	10.000 nm – 1971; 3.000 nm – 1975; 1.500 nm – 1982; 1.000 nm – 1985; 800 nm – 1989; 600 nm – 1994; 350 nm – 1995; 250 nm – 1997; 180 nm – 1999; 130 nm – 2002; 90 nm – 2004; 65 nm – 2006; 45 nm – 2008; 32 nm – 2010; 22 nm – 2012; 14 nm – 2014; 10 nm – 2016; 7 nm – 2018; 5 nm – 2020;
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22 nanómetros (22nm) es la tecnología de fabricación de semiconductores, en la que los componentes están fabricados en una 22 milmillonésima parte de un metro.^[1]^[2]^[3]

Visión general[editar]

Actualmente, su uso está destinado sobre todo, a la fabricación de microprocesadores CMOS.

Microprocesadores[editar]

Familia Intel[editar]

Familia AMD[editar]

Bulldozer

Historia[editar]

IBM lidera un consorcio para el desarrollo de procesadores en 22 nanómetros, ayudándose de la experiencia de un variado grupo de colaboradores entre los que se encuentran AMD, Samsung, Chartered e Infineon.^[4]

Intel y Micron Technology anuncian el proceso de fabricación de una memoria NAND flash de 20 nanómetros.^[5]

Predecesor[editar]

Artículo principal: 32 nanómetros

32 nanómetros (32nm) era la anterior tecnología de fabricación de semiconductores.

Sucesor[editar]

Artículo principal: 14 nanómetros

14 nanómetros (14nm) será la tecnología que sustituya a los 22nm como la tecnología de fabricación de semiconductores, siguiendo de acuerdo al International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS).