Deji Akinwande

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Deji Akinwande
Información personal
Nacimiento Siglo XX Ver y modificar los datos en Wikidata
Nigeria Ver y modificar los datos en Wikidata
Educación
Educado en
Información profesional
Ocupación Científico de materiales, ingeniero e investigador Ver y modificar los datos en Wikidata
Empleador Universidad de Texas en Austin Ver y modificar los datos en Wikidata
Miembro de Sociedad Estadounidense de Física Ver y modificar los datos en Wikidata
Sitio web nano.mer.utexas.edu Ver y modificar los datos en Wikidata
Distinciones
  • Miembro de la Sociedad Estadounidense de Física
  • Presidential Early Career Award for Scientists and Engineers (2013)
  • Premio Friedrich Wilhelm Bessel (2017) Ver y modificar los datos en Wikidata
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Deji Akinwande es un profesor nigeriano-estadounidense de Ingeniería Eléctrica e Informática con afiliación de cortesía a Ciencia de Materiales en la Universidad de Texas en Austin.[1]​ Recibió el Premio Presidencial de Carrera Temprana para Científicos e Ingenieros en 2016 de manos de Barack Obama.[1]​ Es miembro de la Sociedad Estadounidense de Física, la Academia Africana de Ciencias, la Materials Research Society (MRS) y el Institute of Electrical and Electronics Engineers.

Biografía[editar]

Nació en Washington D. C. y se mudó a Nigeria en sus primeros años.[2]​ Creció en Ikeja con sus padres.[2]​ Su padre era el interventor financiero de Guardian News y su madre trabajaba en el Ministerio de Educación. Asistió al Federal Government College, Idoani y se interesó por la ciencia y la ingeniería.[2]​

Regresó a Estados Unidos en 1994, comenzó en el colegio comunitario de Cuyahoga y finalmente se transfirió a la Universidad Case de la Reserva Occidental para estudiar ingeniería eléctrica y física aplicada.[2]​ Durante su maestría, fue pionero en el diseño de puntas de microondas de campo cercano para obtener imágenes no destructivas.[3]​ Fue aceptado en la Universidad Stanford como estudiante de posgrado, donde trabajó en las propiedades electrónicas de materiales a base de carbono.[2]​

Fue seleccionado como miembro de la Fundación Alfred P. Sloan durante su doctorado.[2]​ También fue seleccionado como miembro de DARE (Diversifying Academia, Recruiting Excellence) en 2008.[4]​ Completó su doctorado en 2009.[5]​ Se incorporó a la Universidad de Texas en Austin en 2010 como profesor asistente en enero de 2010 y recibió subvenciones de investigación de varias agencias, incluida la Fundación Nacional de Ciencias (NSF), la Oficina de Investigación Naval, entre otras.[6]​

Fue nombrado miembro senior del Instituto de Ingenieros Eléctricos y Electrónicos (IEEE) en 2013.[3]​ Es miembro de la Junta de Editores Revisores de Science, editor asociado de ACS Nano, editor de la revista Nature npj 2D Materials and Applications y ex editor de IEEE Electron Devices Letters.[7]​[8]​ Ha impartido alrededor de una docena de charlas plenarias y magistrales, incluida la charla plenaria en la reunión anual SPIE de Óptica y Fotónica de 2017, donde analizó el progreso, las oportunidades y los desafíos de los dispositivos electrónicos 2D.[9]​ Fue nombrado miembro de la Sociedad Estadounidense de Física en 2017 y miembro Fulbright en 2018.[10]​[11]​

Investigación[editar]

Colaboró con Aixtron en el crecimiento, caracterización e integración de grafeno a escala de oblea.[12]​ La colaboración demostró el crecimiento escalable de grafeno policristalino mediante deposición química de vapor, creando los primeros 300 obleas de mm.[13]​[14]​ En 2011 publicó el primer libro de texto sobre física de dispositivos de grafeno y nanotubos de carbono con el profesor Philip Wong de la Universidad Stanford.[15]​ Ha realizado varios avances en la electrónica de grafeno bidimensional.[16]​ En 2015 demostró el primer transistor de siliceno bidimensional.[17]​ El en colaboración con el grupo de Alessandro Molle en CNR, Italia, logró esto evaporando silicio en un cristal de plata, monitoreando el crecimiento en tiempo real mediante microscopía de efecto túnel.[17]​[18]​ Este avance de la investigación fue seleccionado como una de las principales historias científicas de 2015 por la revista Discover.[19]​

Continuó demostrando los sensores electrónicos de tatuaje más delgados y transparentes hechos de grafeno en 2017, que tenían menos de 500 nm de espesor y 85% ópticamente transparente. Esta investigación se realizó en colaboración con el grupo de Nanshu Lu.[20]​ Los tatuajes se pueden laminar sobre la piel humana como un tatuaje temporal, pero pueden medir electrocardiografía, electroencefalografía, temperatura e hidratación.[20]​ Posteriormente, los tatuajes de grafeno se desarrollaron como una plataforma portátil para monitorear la presión arterial continuamente utilizando la modalidad de bioimpedancia publicada en Nature Nanotechnology en 2022.[21]​

Demostró el primer atomristor investigando la conmutación de resistencia no volátil utilizando una lámina atómica 2D de disulfuro de molibdeno.[22]​ Sorprendentemente, el efecto memoria persiste hasta en un solo átomo.[23]​ Los dispositivos pueden ser tan delgados como 1,5 nm y tienen aplicaciones en teléfonos inteligentes 5G y futuros 6G[24]​ como interruptores de radiofrecuencia de potencia estática cero, Internet de las cosas y circuitos de inteligencia artificial.[25]​ Se espera que el descubrimiento de la memoria en estos sistemas sea universal entre los materiales 2D.[26]​

Referencias[editar]

  1. ↑ a b «Deji Akinwande | Texas ECE - Electrical & Computer Engineering at UT Austin». www.ece.utexas.edu. Consultado el 28 de febrero de 2022. 
  2. ↑ a b c d e f «Deji Akinwande». ZODML. Archivado desde el original el 4 de noviembre de 2018. Consultado el 3 de noviembre de 2018. 
  3. ↑ a b «Deji Akinwande | IEEE Electron Devices Society». eds.ieee.org. Archivado desde el original el 4 de noviembre de 2018. Consultado el 3 de noviembre de 2018. 
  4. ↑ University, Stanford (1 de noviembre de 2018). «Sowing seeds of diversity in academia with PhD fellowships». Stanford News. Consultado el 3 de noviembre de 2018. 
  5. ↑ «People and Ideas | Interview with Deji Akinwande». GRAD | LOGIC. 12 de abril de 2016. Archivado desde el original el 26 de octubre de 2021. Consultado el 3 de noviembre de 2018. 
  6. ↑ «Prof. Akinwande Awarded Grant from ONR». Texas ECE | Department of Electrical and Computer Engineering | The University of Texas at Austin. 31 de mayo de 2013. Consultado el 3 de noviembre de 2018. 
  7. ↑ «EDL Editor-in-Chief and Editors | IEEE Electron Devices Society». eds.ieee.org. Consultado el 3 de noviembre de 2018. 
  8. ↑ «About the Editor | npj 2D Materials and Applications». nature.com. Consultado el 3 de noviembre de 2018. 
  9. ↑ «2D Flexible and Emerging Devices and Applications | SPIE Homepage: SPIE». spie.org. Consultado el 3 de noviembre de 2018. 
  10. ↑ «Akinwande-APS-2017». Texas ECE | Department of Electrical and Computer Engineering | The University of Texas at Austin. 11 de octubre de 2017. Archivado desde el original el 26 de enero de 2018. Consultado el 3 de noviembre de 2018. 
  11. ↑ «Prof. Deji Akinwande Elected Fellow of the American Physical Society». Texas ECE | Department of Electrical and Computer Engineering | The University of Texas at Austin. 19 de octubre de 2017. Consultado el 3 de noviembre de 2018. 
  12. ↑ «AIXTRON SE Investor Relations − An Investment with a Future :: AIXTRON». aixtron.com. Consultado el 3 de noviembre de 2018. 
  13. ↑ «300mm wafer-scale graphene demonstrated | Akinwande Nano Research Group». nano.mer.utexas.edu. Consultado el 3 de noviembre de 2018. 
  14. ↑ Rahimi, Somayyeh; Tao, Li; Chowdhury, Sk. Fahad; Park, Saungeun; Jouvray, Alex; Buttress, Simon; Rupesinghe, Nalin; Teo, Ken et al. (15 de septiembre de 2014). «Toward 300 mm Wafer-Scalable High-Performance Polycrystalline Chemical Vapor Deposited Graphene Transistors». ACS Nano 8 (10): 10471-10479. ISSN 1936-0851. PMID 25198884. doi:10.1021/nn5038493. 
  15. ↑ Wong, H.-S. Philip; Akinwande, Deji (2010), Carbon Nanotube and Graphene Device Physics, Cambridge University Press, pp. 47-72, ISBN 9780511778124, doi:10.1017/cbo9780511778124.004 .
  16. ↑ Akinwande, Deji; Petrone, Nicholas; Hone, James (December 2014). «Two-dimensional flexible nanoelectronics». Nature Communications 5 (1): 5678. Bibcode:2014NatCo...5.5678A. ISSN 2041-1723. PMID 25517105. doi:10.1038/ncomms6678. 
  17. ↑ a b Tao, Li; Cinquanta, Eugenio; Chiappe, Daniele; Grazianetti, Carlo; Fanciulli, Marco; Dubey, Madan; Molle, Alessandro; Akinwande, Deji (2 de febrero de 2015). «Silicene field-effect transistors operating at room temperature». Nature Nanotechnology 10 (3): 227-231. Bibcode:2015NatNa..10..227T. ISSN 1748-3387. PMID 25643256. doi:10.1038/nnano.2014.325. 
  18. ↑ Peplow, Mark (2 de febrero de 2015). «Graphene's cousin silicene makes transistor debut». Nature 518 (7537): 17-18. Bibcode:2015Natur.518...17P. ISSN 0028-0836. PMID 25652975. doi:10.1038/518017a. 
  19. ↑ «Prof. Akinwande's Silicene Transistor Named Discover Top 100 Story of 2015». Texas ECE | Department of Electrical and Computer Engineering | The University of Texas at Austin. 18 de diciembre de 2015. Consultado el 3 de noviembre de 2018. 
  20. ↑ a b Kabiri Ameri, Shideh; Ho, Rebecca; Jang, Hongwoo; Tao, Li; Wang, Youhua; Wang, Liu; Schnyer, David M.; Akinwande, Deji et al. (27 de julio de 2017). «Graphene Electronic Tattoo Sensors». ACS Nano 11 (8): 7634-7641. ISSN 1936-0851. PMID 28719739. doi:10.1021/acsnano.7b02182. 
  21. ↑ Kireev, Dmitry; Sel, Kaan; Ibrahim, Bassem; Kumar, Neelotpala; Akbari, Ali; Jafari, Roozbeh; Akinwande, Deji (20 de junio de 2022). «Continuous cuffless monitoring of arterial blood pressure via graphene bioimpedance tattoos». Nature Nanotechnology (en inglés) 17 (8): 864-870. ISSN 1748-3395. PMID 35725927. doi:10.1038/s41565-022-01145-w. 
  22. ↑ Ge, Ruijing; Wu, Xiaohan; Kim, Myungsoo; Shi, Jianping; Sonde, Sushant; Tao, Li; Zhang, Yanfeng; Lee, Jack C. et al. (19 de diciembre de 2017). «Atomristor: Nonvolatile Resistance Switching in Atomic Sheets of Transition Metal Dichalcogenides». Nano Letters 18 (1): 434-441. Bibcode:2018NanoL..18..434G. ISSN 1530-6984. PMID 29236504. doi:10.1021/acs.nanolett.7b04342. 
  23. ↑ Hus, Saban M.; Ge, Ruijing; Chen, Po-An; Liang, Liangbo; Donnelly, Gavin E.; Ko, Wonhee; Huang, Fumin; Chiang, Meng-Hsueh et al. (January 2021). «Observation of single-defect memristor in an MoS2 atomic sheet». Nature Nanotechnology (en inglés) 16 (1): 58-62. ISSN 1748-3395. PMID 33169008. doi:10.1038/s41565-020-00789-w. 
  24. ↑ «Towards zero-power 6G communication switches using atomic sheets». Nature Electronics (en inglés) 5 (6): 331-332. 30 de mayo de 2022. ISSN 2520-1131. doi:10.1038/s41928-022-00767-1. 
  25. ↑ Wunderlich, Rebecca. «Ultra-Thin Memory Storage Device Paves Way for More Powerful Computing - Cockrell School of Engineering». engr.utexas.edu. Consultado el 3 de noviembre de 2018. 
  26. ↑ Bourzac, Katherine. «Two-dimensional materials could enable low-power telecommunications | January 15, 2018 Issue - Vol. 96 Issue 3 | Chemical & Engineering News». cen.acs.org. Consultado el 3 de noviembre de 2018. 

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