Fosfuro de arseniuro de indio y galio
El fosfuro de arseniuro de indio y galio (GaxIn1-xAsyP1-y) es un material semiconductor compuesto cuaternario, una aleación de arseniuro de galio, fosfuro de galio, arseniuro de indio o fosfuro de indio. Este compuesto tiene aplicaciones en dispositivos fotónicos, debido a la capacidad de adaptar su brecha de banda mediante cambios en las proporciones molares de aleación, x e y.
Los circuitos integrados fotónicos basados en el fosfuro de indio, o PIC, suelen utilizar aleaciones de GaxIn1-xAsyP1-y para construir pozos cuánticos, guías de ondas y otras estructuras fotónicas, adaptadas a un sustrato de InP, lo que permite el crecimiento epitaxial monocristalino sobre InP.
Muchos dispositivos que funcionan en la ventana de longitud de onda del infrarrojo cercano de 1,55 μm utilizan esta aleación y se emplean como componentes ópticos (como transmisores láser, fotodetectores y moduladores) en sistemas de comunicaciones de banda C.
El Instituto Fraunhofer de Sistemas de Energía Solar ISE presentó una célula solar de triple unión que utiliza Ga0,93In0,07As0,87P0,13. La célula tiene una eficiencia muy alta del 35,9% (que se considera un récord).[1][2]
Véase también[editar]
Referencias[editar]
- ↑ Fraunhofer ISE achieves 35.9% efficiency for III-V triple-junction solar cell based on silicon. pv magazine group GmbH & Co. KG. 23 de abril de 2021.
- ↑ «Tandem Photovoltaics Enables New Heights in Solar Cell Efficiencies – 35.9 % for III-V//Silicon Solar Cell». Fraunhofer Institute for Solar Energy Systems ISE. 23 de abril de 2021.
Enlaces externos[editar]
- Esta obra contiene una traducción derivada de «Indium gallium arsenide phosphide» de Wikipedia en inglés, concretamente de esta versión, publicada por sus editores bajo la Licencia de documentación libre de GNU y la Licencia Creative Commons Atribución-CompartirIgual 4.0 Internacional.
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